收藏本站
Figure 15 . Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
I SD
Driver
+
V DS
_
L
V GS
R G
Same Ty yp e
as DUT
? d v / dt c o ntr ro l l e d byy R G
ri
? I SD c o n t r o l l e d by pul ls e per od
V DD
D = - -- --------- -------- ----- -
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
Gate Pu l s e W i d t h
Gate Pul s e Per i od
ode or urr entt
I FM , Body Diod e Fo w ar d Cu rren
/dtt
di/d
10V
I RM
iod ev ur
Body Di ode Re e r s e Cu r e n t
V DS
( DUT )
ode er /dtt
Body Diod e R e cove y dv/d
V SD
Body Di io d e
ol
Forw ward Vo t age Drop
V DD
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FD B 2710 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDB28N30TM MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
FDB3502 MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
FDB3652_F085 MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
FDB3672_F085 MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
FDB3860 MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
FDB390N15A MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
FDB44N25TM MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
FDB52N20TM MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
相关代理商/技术参数
FDB28N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET
FDB28N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB-3 功能描述:化学物质 CAP 10/PACK RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 产品:Adhesives 类型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外壳:Plastic Tube
FDB300 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:3 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB301 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:3 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB3015 制造商:Eaton Corporation 功能描述:TYPE FDB, 3 POLE, 15A TRIP, 600V CLASS, LOAD TERMINALS ONLY
FDB3015L 制造商:Eaton Corporation 功能描述:TYPE FDB, 3 POLE, 15A TRIP, 600V CLASS, LINE AND LOAD
FDB302 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:3 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS